IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·175℃操作结温度能力
·超快和健壮的固有身体二极管
·开尔文门输入放松驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车充电器和OBCs
·太阳能助推器
·汽车压缩机逆变器
·交流/直流电源
瞻芯电子提供以SiC功率器件、SiC驱动芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案，适用于：风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域
IV2Q12017T4Z